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Support de circuit DIP Plage de prix : 0,150 TND à 1,000 TND

Transistor MOSFET IRF840 500V 8A

UGS : DCD-01-T301

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Transistor MOSFET IRF840, 500V, 8A, pour applications de puissance, essentiel pour projets électroniques.

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MOSFET puissance · 500V / 8A

Transistor MOSFET IRF840

MOSFET de puissance canal N en boîtier TO-220AB, tension drain-source 500V et courant continu 8A. Conçu pour la commutation haute tension : alimentations à découpage, contrôle moteur, onduleurs.

🔧 Présentation

L’IRF840 est un MOSFET HEXFET de puissance qui commute des tensions élevées (jusqu’à 500V) tout en supportant un courant continu de 8A. Il est utilisé dans les étages de puissance où une tension bien supérieure à celle des MOSFET logiques classiques (30 à 60V) est nécessaire, typiquement en aval du redressement secteur.

Points clés

500V drain-sourceAdapté aux étages de puissance en haute tension.
🔋8A en continuCourant de drain continu à 25°C selon la datasheet Vishay.
🌡️RDS(on) 0,85 Ω maxRésistance à l’état passant : prévoir un radiateur au-delà de quelques watts dissipés.
🛡️Avalanche ratedTenue aux surtensions transitoires répétitives (charges inductives).

📐 Caractéristiques clés

TypeMOSFET canal N
RéférenceIRF840
Tension drain-source max (VDSS)500 V
Courant de drain continu (ID)8 A à 25°C
Résistance à l’état passant (RDS(on))0,85 Ω max (VGS = 10V)
Tension grille-source max (VGS)± 20 V
Puissance dissipée max125 W
BoîtierTO-220AB

🎯 Pas un MOSFET logic-level

Contrairement aux MOSFET « logic-level » pilotables directement par un GPIO 3,3V ou 5V, l’IRF840 nécessite une tension grille-source d’environ 10V pour atteindre sa pleine conduction (RDS(on) minimal). Piloté directement par un microcontrôleur sans driver de grille adapté, il reste en conduction partielle : la résistance à l’état passant grimpe, la dissipation thermique augmente fortement, avec un risque de surchauffe du boîtier.

🛠️ Usages typiques

🔌 Alimentations à découpage⚙️ Contrôle moteur🔁 Onduleurs💡 Variateurs de puissance🧪 TP électronique de puissance

👤 Pour qui ?

Étudiants en électronique de puissanceIngénieursEnseignants / TPMakers avancés

💡 Bon à savoir

L’IRF840 a un RDS(on) plus élevé que les MOSFET haute tension récents : à fort courant, la puissance dissipée (P = RDS(on) × I²) peut vite atteindre plusieurs watts et nécessiter un radiateur. Pilotez toujours la grille avec un driver ou une tension suffisante (≈10V), jamais directement par un GPIO 3,3V/5V sans étage d’adaptation, sous peine de surchauffe.

📚 Documentation et ressources

Questions fréquentes

Quel est l'usage principal du transistor MOSFET IRF840 ?

Le transistor MOSFET IRF840 est principalement utilisé dans des applications de puissance, comme les alimentations, les contrôleurs de moteurs et les amplificateurs. Il permet de gérer des courants élevés et des tensions jusqu'à 500V, ce qui le rend idéal pour des projets électroniques nécessitant une gestion efficace de l'énergie.

Ce transistor est-il compatible avec d'autres composants électroniques ?

Oui, le transistor MOSFET IRF840 est compatible avec de nombreux circuits électroniques. Il peut être utilisé avec des microcontrôleurs, des circuits de commande et d'autres composants qui nécessitent un contrôle de puissance. Assurez-vous simplement que les spécifications de tension et de courant correspondent à vos besoins.

Comment installer le transistor MOSFET IRF840 dans un circuit ?

Pour installer le transistor MOSFET IRF840, commencez par identifier les broches : la source, le drain et la grille. Connectez la grille à votre signal de commande, le drain à la charge et la source à la masse. Assurez-vous de respecter les polarités et les spécifications de courant pour éviter tout dommage.

Quels sont les délais de livraison pour ce produit en Tunisie ?

Les délais de livraison pour le transistor MOSFET IRF840 en Tunisie varient généralement entre 2 à 5 jours ouvrables, selon votre localisation. Nous nous efforçons de traiter les commandes rapidement pour garantir une réception dans les meilleurs délais.

Ce produit est-il garanti ?

Oui, le transistor MOSFET IRF840 est couvert par une garantie de 6 mois contre les défauts de fabrication. Si vous rencontrez un problème, vous pouvez nous contacter pour un échange ou un remboursement, sous réserve de respecter les conditions de garantie.

Quelles sont les différences entre le MOSFET IRF840 et d'autres transistors similaires ?

Le MOSFET IRF840 se distingue par sa capacité à supporter des tensions allant jusqu'à 500V et un courant de 8A. Comparé à d'autres transistors, il offre une meilleure gestion thermique et une faible résistance à l'état passant, ce qui le rend plus efficace pour des applications de puissance.

Peut-on utiliser le MOSFET IRF840 pour des projets de faible puissance ?

Bien que le MOSFET IRF840 soit conçu pour des applications de puissance, il peut également être utilisé dans des projets de faible puissance. Cependant, pour des applications nécessitant des courants et des tensions plus faibles, il peut être plus judicieux d'opter pour un transistor spécifiquement conçu pour ces conditions.

Comment utiliser le transistor MOSFET IRF840

Temps total : 15 min

Outils nécessaires : Fer à souder, Multimètre
Fournitures : Transistor MOSFET IRF840, Plaque de prototypage, Fils de connexion
  1. 1
    Préparer la plaque de prototypage

    Disposez la plaque de prototypage sur une surface plane et propre. Assurez-vous qu'elle est exempte de poussière et de débris. Identifiez l'emplacement où vous allez souder le transistor IRF840.

  2. 2
    Identifier les broches du transistor

    Le transistor MOSFET IRF840 a trois broches : Gate (G), Drain (D) et Source (S). Consultez la datasheet pour identifier la disposition des broches et les marquer sur la plaque.

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    Souder le transistor sur la plaque

    Positionnez le transistor sur la plaque de prototypage en alignant les broches avec les pistes. Utilisez le fer à souder pour souder chaque broche en place, en veillant à éviter les courts-circuits.

  4. 4
    Connecter la source et le drain

    Reliez la broche Source (S) à la masse de votre circuit. Connectez la broche Drain (D) à la charge que vous souhaitez contrôler. Assurez-vous que les connexions sont solides.

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    Connecter la gate

    Connectez la broche Gate (G) à un signal de commande, tel qu'un microcontrôleur ou un interrupteur. Cela permettra de contrôler l'activation du transistor.

  6. 6
    Tester le circuit

    Avant de mettre sous tension, vérifiez toutes les connexions avec un multimètre pour vous assurer qu'il n'y a pas de courts-circuits. Ensuite, alimentez le circuit et testez le fonctionnement du transistor.

  7. 7
    Surveiller la température

    Après avoir mis le circuit sous tension, surveillez la température du transistor. Si le transistor chauffe excessivement, envisagez d'ajouter un dissipateur thermique pour éviter les dommages.

Poids0,05 kg