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Transistor noir à trois broches en boîtier TO-220
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Transistor MOSFET IRF9530N

UGS : DCD-01-T242

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Transistor MOSFET IRF9530N, 100V, 14A, canal P. Parfait pour applications de commutation. Disponible chez Didactico.tn.

2,500 TND

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MOSFET canal P · -100 V · TO-220

IRF9530N : le MOSFET canal P pour la commande de charge côté haut

Un transistor à effet de champ piloté en tension, idéal pour couper l’alimentation d’une charge par le pôle positif avec une résistance à l’état passant maîtrisée.

🔲 Présentation du MOSFET IRF9530N

L’IRF9530N est un transistor MOSFET à canal P (P-channel) en boîtier TO-220, conçu pour la commutation de puissance. Contrairement à un transistor bipolaire piloté en courant, il se commande en tension sur sa grille (gate) : presque aucun courant de commande n’est consommé en régime établi. Sa polarité P le rend particulièrement adapté à la commande « high-side », c’est-à-dire à l’interruption d’une charge raccordée au +V de l’alimentation.

⭐ Pourquoi choisir l’IRF9530N

🎚️Commande en tensionPiloté par la grille, quasi sans courant en régime établi.
⬆️Commutation côté hautLe canal P excelle pour couper la charge par le +V.
🔋Faible Rds(on)Résistance à l’état passant de l’ordre de 0,2 Ω, peu de pertes.
⚡Commutation rapideAdapté au découpage et au PWM, là où un BJT chauffe.
🌡️Boîtier TO-220Languette métallique pour montage facile sur dissipateur.
🔁Diode body intégréeProtection intrinsèque utile dans les ponts et charges inductives.

📐 Caractéristiques clés

TypeMOSFET canal P (enrichissement)
BoîtierTO-220 (3 broches + languette)
Tension drain-source (Vds)-100 V
Courant drain continu (Id)≈ -12 A
Résistance à l’état passant Rds(on)≈ 0,2 Ω
Tension de seuil grille Vgs(th)≈ -2 à -4 V
Vgs maximale±20 V
Brochage TO-220Grille (G) – Drain (D) – Source (S)

🆚 Canal P contre canal N : quand choisir un P ?

Un MOSFET canal N comme l’IRF530 commute côté masse et conduit quand la grille est portée au-dessus de la source. Le canal P de l’IRF9530N fait l’inverse : il conduit quand la grille est tirée sous la source, ce qui le rend naturel pour interrompre une charge reliée au pôle positif. Cette commande « high-side » simplifie les circuits où la masse de la charge doit rester commune, par exemple le contrôle de l’alimentation d’un module entier.

🛠️ Ce que vous pouvez réaliser

Sa polarité P et sa faible résistance ouvrent des montages que les BJT gèrent mal :

⬆️ Interrupteur high-side🔌 Coupure d’alimentation de module🛡️ Protection inversion de polarité🔁 Demi-pont / pont en H🎛️ Variation de charge par PWM🔆 Driver de bande LED

🚀 Mise en œuvre en 3 étapes

1. Repérer le brochageFace marquée vers vous : Grille, Drain, Source (la languette est reliée au Drain).
2. Piloter la grille sous la sourcePour le faire conduire, abaissez Vgs (négatif) ; à Vgs = 0 V il est bloqué.
3. Sécuriser la grilleAjoutez une résistance de grille en série et une résistance de pull-up vers la source.

👤 Pour qui ?

Concepteurs d’électronique de puissanceÉtudiants en automatique / ISETMakers en robotique mobileTechniciens en alimentation

💡 Bon à savoir

Un MOSFET canal P se commande à l’envers d’un canal N : il faut tirer la grille SOUS la source pour le rendre passant, ce qui impose souvent une résistance de pull-up vers le +V et parfois un petit transistor de translation de niveau pour le commander depuis un microcontrôleur 5 V. Surveillez la dissipation : malgré un Rds(on) faible, montez-le sur dissipateur dès que le courant dépasse quelques ampères. La languette métallique est reliée au drain — isolez-la si elle touche un châssis. Une résistance de grille (≈ 100 Ω) limite les pointes lors des commutations rapides.

🏁 En résumé

Spécialiste de la commutation côté haut, l’IRF9530N MOSFET canal P offre -100 V, ≈ -12 A et un Rds(on) d’environ 0,2 Ω en boîtier TO-220. Commandé en tension, rapide et peu dissipatif, il s’impose pour couper une charge par le +V, protéger contre l’inversion de polarité ou bâtir un pont en H. Le complément P idéal des MOSFET canal N pour vos projets de puissance en Tunisie.

📚 Documentation et ressources

Questions fréquentes

Quel est l'usage principal du transistor MOSFET IRF9530N ?

Le transistor MOSFET IRF9530N est principalement utilisé pour des applications de commutation. Il permet de contrôler des charges électriques dans divers circuits, notamment dans les alimentations et les amplificateurs.

Ce transistor est-il compatible avec d'autres composants électroniques ?

Oui, le IRF9530N est compatible avec de nombreux circuits intégrés et autres composants électroniques, tant qu'ils respectent les spécifications de tension et de courant. Il est idéal pour les applications nécessitant un transistor à canal P.

Comment installer le transistor MOSFET IRF9530N ?

L'installation du IRF9530N nécessite de le souder sur un circuit imprimé. Assurez-vous de respecter les polarités et de vérifier les connexions pour éviter tout court-circuit. Un bon refroidissement est également recommandé pour des performances optimales.

Quels sont les délais de livraison pour ce produit en Tunisie ?

Les délais de livraison pour le transistor MOSFET IRF9530N en Tunisie varient généralement entre 2 à 5 jours ouvrés, selon votre localisation. Nous nous efforçons de traiter les commandes rapidement.

Le transistor MOSFET IRF9530N est-il garanti ?

Oui, le IRF9530N bénéficie d'une garantie de 6 mois contre les défauts de fabrication. Conservez votre preuve d'achat pour toute réclamation.

Quelles sont les différences entre le IRF9530N et d'autres transistors similaires ?

Le IRF9530N se distingue par sa capacité à supporter jusqu'à 100V et 14A, ce qui le rend adapté pour des applications spécifiques nécessitant un transistor à canal P. D'autres modèles peuvent avoir des caractéristiques différentes en termes de tension ou de courant.

Comment utiliser le transistor MOSFET IRF9530N

⏱ Temps total : 15 min

Outils nécessaires : Fer à souder, Pince à dénuder, Multimètre
Fournitures : Transistor MOSFET IRF9530N, Câbles électriques, Plaque de montage
  1. 1
    Préparation de la plaque de montage

    Commencez par préparer votre plaque de montage en vous assurant qu'elle est propre et exempte de poussière. Identifiez l'emplacement où vous allez souder le transistor MOSFET IRF9530N. Assurez-vous que la plaque est bien isolée pour éviter tout court-circuit.

  2. 2
    Identification des broches du transistor

    Le transistor MOSFET IRF9530N a trois broches : Source, Drain et Gate. Consultez la fiche technique pour identifier correctement chaque broche. Cela vous permettra de les connecter correctement dans votre circuit.

  3. 3
    Dénudage des câbles

    Prenez les câbles que vous allez utiliser pour connecter le transistor à votre circuit. Utilisez la pince à dénuder pour enlever l'isolant sur les extrémités des câbles, en veillant à ne pas endommager le fil en cuivre.

  4. 4
    Soudure des connexions

    Soudez les câbles aux broches du transistor selon le schéma de votre circuit. Assurez-vous que les connexions sont solides et qu'il n'y a pas de court-circuit entre les broches. Laissez refroidir la soudure avant de manipuler.

  5. 5
    Vérification des connexions

    Utilisez un multimètre pour vérifier les connexions que vous avez réalisées. Assurez-vous qu'il n'y a pas de continuité entre la Source et le Drain lorsque le transistor est en mode OFF. Cela garantit que le transistor fonctionne correctement.

  6. 6
    Intégration dans le circuit

    Intégrez le transistor dans votre circuit en le connectant aux autres composants nécessaires. Assurez-vous que le circuit est hors tension avant de faire ces connexions pour éviter tout risque d'électrocution.

  7. 7
    Test de fonctionnement

    Alimentez votre circuit et testez le fonctionnement du transistor MOSFET IRF9530N. Vérifiez que le transistor s'active et se désactive correctement en fonction de la tension appliquée à la broche Gate. Observez le comportement du circuit pour confirmer son bon fonctionnement.

Poids0,05 kg